MUR20040CT
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | MUR20040CT |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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80+ | $101.6625 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 50 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 400 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 90 ns |
Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25 µA @ 50 V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 100A |
Grundproduktnummer | MUR20040 |
MUR20040CT Einzelheiten PDF [English] | MUR20040CT PDF - EN.pdf |
IGBT Modules
Interface
IGBT Modules
IGBT Modules
Interface
DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER
Interface
IGBT Modules
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
MUR20100 ON
MUR20120CT GY
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
SIRECTI TO-220
DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
Interface
DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER
IGBT Modules
DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MUR20040CTGeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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